MicroFET 6 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 30
- Maximum Continuous Drain C
- 9
- Maximum Drain Source Resis
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 9.3
FDMA7632
MicroFET 6 封装 19mΩ 导通电阻 适用于便携设备的负载开关与电池保护
FDMA7632 是安森美的 N 沟道功率 MOSFET，30V 耐压、9A 连续漏极电流，19mΩ 导通电阻，采用极小的 MicroFET 6 封装。这一型号面向的是便携式与电池供电设备中的负载开关、电池保护与低压 DC-DC，核心诉求是在最小的占板面积内实现最低的通路压降。
- Maximum Drain Source Voltage
- 30
- Maximum Continuous Drain Cur
- 9
- Maximum Drain Source Resista
- 19@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 9.3
- Standard Package Name
- DFN
- Supplier Package
- WDFN EP
原厂料号 FDMA7632 · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
便携式与手持设备厂商
空间极度受限但需要低压降的负载开关。
锂电池保护板厂商
充放电通路的开关管需要极低导通电阻。
低压 DC-DC 模块厂商
同步整流位置需要小封装低阻抗器件。
物联网与穿戴设备厂商
电池续航敏感，通路损耗必须压到最低。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 负载开关压降造成续航损失 导通电阻偏高在大电流下产生可观压降。
- 02 小封装散热能力有限 功耗集中在极小面积内导致局部过热。
- 03 板面空间不足 常规封装无法放入紧凑的产品结构内。
- 04 低压器件阈值电压不匹配 3.3V 驱动下无法完全开启，导通电阻远超标称。
核心优势
- 19mΩ@10V 低导通电阻显著降低通路压降与发热
- MicroFET 6 极小封装 适合空间极度受限的便携设备
- 30V 耐压覆盖单节至多节锂电与 12V 以内系统
- 2400mW 功耗能力在同尺寸封装中表现良好
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Process Technology | TMOS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 19@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 4.4@4.5V|9.3@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 570@15V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Typical Fall Time (ns) | 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Commercial |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | WDFN EP |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.75 |
| Package Length | 2 |
| Package Width | 2 |
| PCB changed | 6 |
| Lead Shape | No Lead |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | FDMA7632 30V | 20V 档位器件 | 60V 与 100V 器件 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 30V | 20V | 60V 至 100V |
| 适用系统 | 单节至三节锂电 12V 系统 | 单节锂电 5V 系统 | 24V 至 48V 系统 |
| 导通电阻 | 19mΩ | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装尺寸 | MicroFET 6 极小 | 多为小封装 | 多为中大封装 |
| 选型建议 | 便携设备负载开关首选档位 | 极低压系统 | 更高电压系统 |
-
驱动电压核对
19mΩ 是 VGS 为 10V 条件下的数值。如果系统只能提供 4.5V 或 3.3V 驱动，必须查阅 Datasheet 中对应驱动电压下的导通电阻曲线，实际值可能高出一倍以上。
-
散热设计
MicroFET 封装体积小，散热几乎完全依赖 PCB 铜箔。漏极焊盘应连接尽可能大的铜箔面积，必要时铺设内层散热层。
-
电池保护应用
用于充放电通路时通常需要两颗背靠背串联以实现双向阻断。选型时须核算两颗串联后的总压降。
-
浪涌与热插拔
负载开关应用中需要考虑上电冲击电流。建议通过栅极 RC 网络实现软启动，控制 dv/dt。
-
降额使用
建议实际工作电压不超过 20V，持续电流按实际散热条件核算，通常控制在 4A 以内。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
LP2985-33DBVRG4
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
- Standard Package
- SOT
- Supplier Package
- SOT-23
- Part Status
- Active
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Maximum Drain So
- 150
- Maximum Continuo
- 33
- Maximum Drain So
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Maximum Drain So
- 100
- Maximum Continuo
- 42
- Maximum Drain So
- 13.6@10V