SOP Advance 8 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 100
- Maximum Continuous Drain C
- 42
- Maximum Drain Source Resis
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 22
TPH1400ANH,L1Q(M
SOP Advance 封装 低导通电阻 适用于高电流密度的贴片式电源与驱动电路
TPH1400ANH,L1Q(M) 是东芝的 N 沟道功率 MOSFET，100V 耐压、42A 连续漏极电流，采用东芝自有的 SOP Advance 8 脚封装。这一封装在 SOP-8 的占板面积上提供了远超传统 SOP-8 的散热与载流能力，适合对功率密度有要求又必须走贴片工艺的场合。
- Maximum Drain Source Voltage
- 100
- Maximum Continuous Drain Cur
- 42
- Maximum Drain Source Resista
- 13.6@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 22
- Standard Package Name
- SOP
- Supplier Package
- SOP Advance
原厂料号 TPH1400ANH,L1Q(M · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
服务器与通信电源厂商
48V 转 12V 的中间总线变换器需要在有限板面上做大电流。
电动工具与电动车控制器厂商
需要在紧凑空间内实现大电流开关。
负载开关与热插拔保护厂商
低导通电阻可显著降低通路压降与发热。
BLDC 电机驱动厂商
半桥拓扑中需要成对使用低阻抗贴片管。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 传统 SOP-8 载流能力不足 大电流场景下封装引脚成为瓶颈，发热集中在引脚而非芯片。
- 02 插件封装占板面积大 产品小型化与自动化贴装的要求无法满足。
- 03 贴片管散热路径不清晰 缺少明确的热阻数据导致热设计只能靠试错。
- 04 并联使用一致性差 不同批次参数分散导致并联时电流分配不均。
核心优势
- SOP Advance 封装在 SOP-8 占板面积上实现大幅提升的载流与散热能力
- 42A 连续电流能力覆盖多数中大功率贴片应用
- 100V 耐压适配 48V 母线系统并留出充足裕量
- 编带卷装交付 适合全自动贴装产线
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| SVHC | Yes |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Process Technology | U-MOS VIII-H |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 42 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 13.6@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1440@50V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2800 |
| Typical Fall Time (ns) | 6.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.6 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Supplier Package | SOP Advance |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.95 |
| Package Length | 5 |
| Package Width | 5 |
| PCB changed | 8 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TPH1400ANH | 传统 SOP-8 器件 | DPAK 插贴器件 |
|---|---|---|---|
| 占板面积 | 接近 SOP-8 | SOP-8 | 更大 |
| 连续电流能力 | 42A | 通常 10A 以内 | 视型号而定 |
| 散热路径 | 底部大面积散热焊盘 | 主要靠引脚 | 背面焊盘 |
| 自动化贴装 | 完全适配 | 完全适配 | 适配 |
| 选型建议 | 小板面大电流的首选 | 小电流信号级开关 | 对散热要求更高时选用 |
-
散热焊盘设计
SOP Advance 的散热依赖底部大面积焊盘。PCB 上必须做同尺寸的散热铜箔并布置密集过孔，否则封装优势无法发挥。
-
栅极驱动
建议 VGS 为 10V 驱动。栅极回路走线要短，驱动 IC 尽量靠近器件以抑制振铃。
-
并联使用
并联时应选用同一批次器件，并在各管栅极串联独立的栅极电阻以抑制寄生振荡。
-
回流焊接
按器件的 MSL 等级控制开封后的车间存放时间，回流曲线峰值温度不超过 260℃。
-
降额使用
建议实际母线电压不超过 60V，持续电流按封装实际热阻反推而非直接使用 42A 标称值。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Maximum Drain So
- 150
- Maximum Continuo
- 33
- Maximum Drain So
- 42@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Maximum Drain So
- 250
- Maximum Continuo
- 10.9
- Maximum Drain So
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Maximum Drain So
- 30
- Maximum Continuo
- 9
- Maximum Drain So
- 19@10V