TDSON-8 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 250
- Maximum Continuous Drain C
- 10.9
- Maximum Drain Source Resis
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 8.6
BSZ16DN25NS3GATMA1
TDSON-8 无引脚封装 OptiMOS 3 沟槽工艺 适用于高频高密度电源与汽车电子
BSZ16DN25NS3GATMA1 是英飞凌 OptiMOS 3 沟槽工艺的 N 沟道 MOSFET，250V 耐压、10.9A 连续漏极电流，采用 TDSON-8 也就是 SuperSO8 类型的无引脚贴片封装。250V 是一个相对少见但很实用的档位，正好填补 150V 与 300V 之间的空缺，适合高压母线的辅助电源与工业驱动。
- Maximum Drain Source Voltage
- 250
- Maximum Continuous Drain Cur
- 10.9
- Maximum Drain Source Resista
- 165@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 8.6
- Standard Package Name
- SON
- Supplier Package
- TSDSON EP
原厂料号 BSZ16DN25NS3GATMA1 · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
工业辅助电源厂商
高压母线取电的辅助电源需要 250V 档位器件。
汽车电子供应商
48V 系统的高压侧保护与开关需要足够的尖峰耐受。
电机驱动模块厂商
紧凑型驱动模块需要无引脚封装降低寄生电感。
高频电源与 LLC 拓扑设计公司
OptiMOS 沟槽工艺的低栅极电荷利于高频运行。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 引脚寄生电感引发振铃 传统引脚封装在高频高 di/dt 下振铃严重，EMI 难以整改。
- 02 250V 档位器件选择少 在 150V 与 300V 之间没有合适档位只能被迫升档。
- 03 无引脚封装焊接难检验 DFN 类封装焊点被封装遮挡，目视无法检查。
- 04 高频损耗超出预期 栅极电荷与输出电容偏大导致开关损耗不可控。
核心优势
- OptiMOS 3 沟槽工艺在导通电阻与栅极电荷之间取得良好平衡
- TDSON-8 无引脚封装显著降低寄生电感 抑制高频振铃
- 250V 档位精准适配高压母线辅助电源与 48V 系统保护
- 编带卷装交付 适合高密度自动化贴装
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Process Technology | OptiMOS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10.9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 165@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.6@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 690@100V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 62500 |
| Typical Fall Time (ns) | 4 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SON |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1 |
| Package Length | 3.3 |
| Package Width | 3.3 |
| PCB changed | 8 |
| Lead Shape | No Lead |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | BSZ16DN25NS3G | 150V 档位器件 | 300V 与 400V 器件 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 250V | 150V | 300V 至 400V |
| 封装形式 | TDSON-8 无引脚 | 多种 | 多种 |
| 寄生电感 | 很低 | 视封装而定 | 视封装而定 |
| 适用母线 | 100V 至 150V | 48V 至 90V | 150V 至 250V |
| 选型建议 | 高压辅助电源与 48V 保护 | 标准 48V 系统 | 更高母线电压场景 |
-
PCB 焊盘设计
TDSON-8 的漏极散热焊盘面积大，PCB 铜箔应与之等面积或更大，并布置密集过孔导热到底层。
-
焊接检验
无引脚封装焊点被遮挡，建议产线配置 X-Ray 或 AOI 侧视检测，或采用首件切片验证回流曲线。
-
栅极驱动
沟槽工艺器件栅极电荷小，驱动能力可适当降低，但栅极回路必须极短以避免高频振荡。
-
降额使用
建议实际母线电压不超过 150V，结温控制在 125℃ 以内。
-
MSL 与烘烤
按封装标注的 MSL 等级管理开封时间，超时需按 IPC/JEDEC J-STD-033 标准烘烤后再上线。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Maximum Drain So
- 150
- Maximum Continuo
- 33
- Maximum Drain So
- 42@10V
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Maximum Drain So
- 100
- Maximum Continuo
- 42
- Maximum Drain So
- 13.6@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Maximum Drain So
- 600
- Maximum Continuo
- 20
- Maximum Drain So
- 190@10V