TO-220 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 600
- Maximum Continuous Drain C
- 20
- Maximum Drain Source Resis
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 27
TK20E60U,S1X(S
TO-220 插件封装 0.19Ω 导通电阻 适用于 PFC 与反激开关电源主开关
TK20E60U,S1X(S) 是东芝的 600V 高压 N 沟道功率 MOSFET,20A 连续漏极电流,190W 功耗能力,0.19Ω 导通电阻,采用经典的 TO-220 三脚插件封装。600V 档位是 AC 220V 输入的开关电源中最常用的耐压等级,广泛用于 PFC 升压级与反激变换器的主开关位置。
- Maximum Drain Source Voltage
- 600
- Maximum Continuous Drain Cur
- 20
- Maximum Drain Source Resista
- 190@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 27
- Supplier Package
- TO-220
- Part Status
- Obsolete
原厂料号 TK20E60U,S1X(S · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
AC-DC 开关电源与适配器厂商
220V 输入的反激与正激拓扑主开关标准配置。
PFC 功率因数校正模块厂商
升压级开关管需要 600V 耐压与良好的开关特性。
LED 驱动电源厂商
非隔离降压与隔离反激拓扑的高压开关。
工业电源与充电桩厂商
需要 TO-220 封装配合散热片做大功率散热。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 高压管击穿失效 关断尖峰超过 600V 额定值,缓冲电路设计不当。
- 02 散热片安装工艺不稳定 绝缘垫片与螺丝扭矩不一致导致热阻分散。
- 03 体二极管反向恢复引发损耗 在硬开关拓扑中造成额外损耗与 EMI。
- 04 高压器件渠道货源混乱 翻新与打磨片在高压场景下失效风险极高。
核心优势
- 600V 耐压覆盖 AC 220V 输入的主流开关电源拓扑
- 0.19Ω 导通电阻在 600V 20A 档位属于良好水平
- TO-220 插件封装可直接配合散热片实现大功率散热
- 190W 功耗能力为大功率电源设计留出空间
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Process Technology | DTMOSII |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 190@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1470@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 40 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 8.59 |
| Package Length | 10.16 |
| Package Width | 4.45 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | TK20E60U 600V | 500V 档位器件 | 650V 与 900V 器件 |
|---|---|---|---|
| 适用输入电压 | AC 176V 至 264V | AC 100V 至 132V | 宽范围输入或高尖峰场景 |
| 导通电阻 | 0.19Ω | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | TO-220 插件 | 多种 | TO-247 等更大封装 |
| 散热方式 | 配散热片 | 视功率而定 | 通常需强散热 |
| 选型建议 | 220V 输入标准方案 | 110V 输入市场专用 | 宽压输入或尖峰裕量不足时升档 |
-
缓冲电路设计
反激拓扑必须配置 RCD 缓冲,将关断尖峰限制在 500V 以内,为 600V 额定值留出至少 100V 裕量。
-
散热片安装
使用绝缘导热垫片时须控制螺丝扭矩一致,建议 0.4 至 0.6 N·m。扭矩不足会显著增大接触热阻。
-
栅极驱动
高压管栅极回路要短,建议栅极电阻 10Ω 至 47Ω 之间调试,兼顾开关速度与 EMI。
-
降额使用
建议实际工作电压不超过 480V,结温控制在 125℃ 以内,电流不超过 12A。
-
存储要求
TO-220 引脚为镀锡处理,长期存放需防潮防氧化,避免插件焊接时出现虚焊。
相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Supplier Package
- D2PAK
- Mounting
- Surface Moun
- Operating Temper
- -55 to 150 °
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Maximum Drain So
- 1200
- Maximum Continuo
- 12
- Maximum Drain So
- 690@10V
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
- Maximum Drain So
- 150
- Maximum Continuo
- 33
- Maximum Drain So
- 42@10V


