TO-263 D2PAK 封装外形示意
- Supplier Package
- D2PAK
- Mounting
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
STB10N95K5
MDmesh K5 工艺 D2PAK 贴片封装 适用于宽压输入与高尖峰的开关电源
STB10N95K5 是意法半导体 MDmesh K5 超结工艺的 N 沟道 MOSFET，950V 漏源耐压、8A 连续漏极电流，0.8Ω 导通电阻，采用 D2PAK 也就是 TO-263 贴片封装。950V 是一个高裕量档位，专为宽范围输入、高关断尖峰或电网条件恶劣的应用设计。
- Supplier Package
- D2PAK
- Mounting
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55 to 150 °C
- RDS-on
- 0.8@10V Ohm
- Voltage
- 600
- Channel Type
- N
原厂料号 STB10N95K5 · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
宽压输入电源厂商
AC 85V 至 305V 全球通用输入需要更高的耐压裕量。
工业与户外电源厂商
电网波动与雷击浪涌频繁的环境需要更高的安全边界。
高压辅助电源厂商
三相整流后的母线电压场景需要 900V 以上器件。
LED 驱动与镇流器厂商
感性负载关断尖峰高，需要额外耐压裕量。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 600V 器件在恶劣电网下频繁击穿 尖峰电压超出额定值，售后失效率居高不下。
- 02 缓冲电路耗散过大 为压制尖峰不得不加大缓冲电路，牺牲效率。
- 03 高压贴片器件选择少 多数高压管只有插件封装，无法适配全贴片产线。
- 04 超高压器件采购困难 此类器件用量小、渠道少，交期长。
核心优势
- 950V 耐压为宽压输入与高尖峰场景提供充足安全裕量
- MDmesh K5 超结工艺在超高压档位实现较低的导通电阻
- D2PAK 贴片封装适配全贴片产线 无需波峰焊
- -55 至 150℃ 工作温度覆盖户外与工业环境
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| Enhancement | |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Max Processing Temp | 245 |
| Maximum Continuous Drain Current | 8:00 AM |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Mounting | Surface Mount |
| MSL Level | MSL 1 - Unlimited |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Product Dimensions | 10.4(Max) x 9.35(Max) x 4.6(Max) |
| RDS-on | 0.8@10V Ohm |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Fall Time | 15 ns |
| Typical Rise Time | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Voltage | 600 |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STB10N95K5 950V | 600V 档位器件 | 1200V 档位器件 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 | 950V | 600V | 1200V |
| 适用输入 | AC 85V 至 305V 宽压 | AC 176V 至 264V | 三相或高压直流 |
| 导通电阻 | 0.8Ω@10V | 通常更低 | 通常更高 |
| 封装形式 | D2PAK 贴片 | 多种 | 多为 TO-247 |
| 选型建议 | 宽压输入与高尖峰的平衡选择 | 标准 220V 输入 | 三相与高压直流系统 |
-
D2PAK 散热设计
D2PAK 背面焊盘即漏极散热面，PCB 需布置大面积铜箔与密集过孔。铜箔面积每增加一倍，热阻可下降约 15% 至 25%。
-
高压爬电距离
950V 器件周边的 PCB 走线必须满足对应的爬电与电气间隙要求，建议按 IEC 60664 标准核算并留出裕量。
-
栅极驱动
超结器件开关速度快，栅极电阻建议从 20Ω 起调，过快的开关速度会加剧 EMI 与振铃。
-
降额使用
建议实际工作电压不超过 750V，结温控制在 125℃ 以内，电流不超过 5A。
-
缓冲设计
即便有 950V 裕量，仍建议保留 RCD 缓冲以降低 EMI 并改善器件工作应力。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STW12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- Maximum Drain So
- 1200
- Maximum Continuo
- 12
- Maximum Drain So
- 690@10V
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Maximum Drain So
- 600
- Maximum Continuo
- 20
- Maximum Drain So
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Maximum Drain So
- 250
- Maximum Continuo
- 10.9
- Maximum Drain So
- 165@10V