TO-247 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 1200
- Maximum Continuous Drain C
- 12
- Maximum Drain Source Resis
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 44.2
STW12N120K5
MDmesh K5 工艺 TO-247 封装 适用于三相输入与高压直流的功率变换
STW12N120K5 是意法半导体 MDmesh K5 超结工艺的 1200V N 沟道 MOSFET，12A 连续漏极电流，采用 TO-247 三脚插件封装配合散热片使用。1200V 档位主要面向三相 380V 输入、光伏与储能的高压直流母线，以及需要极高耐压裕量的工业电源。
- Maximum Drain Source Voltage
- 1200
- Maximum Continuous Drain Cur
- 12
- Maximum Drain Source Resista
- 690@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 44.2
- Standard Package Name
- TO-247
- Supplier Package
- TO-247
原厂料号 STW12N120K5 · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
三相工业电源厂商
AC 380V 输入整流后母线约 540V，需要 1200V 器件保证裕量。
光伏逆变与储能 PCS 厂商
直流母线电压高，对器件耐压与可靠性要求严苛。
充电桩与电源模块厂商
高压直流变换环节的主开关器件。
工业加热与焊机厂商
大功率高压开关应用需要 TO-247 配散热片。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比，真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 IGBT 在高频下开关损耗过大 拖尾电流限制了开关频率的提升。
- 02 高压器件热设计困难 大功率工况下散热片与风道设计不当导致降容。
- 03 超结器件体二极管恢复差 在桥式硬开关拓扑中易引发直通与失效。
- 04 1200V 器件采购周期长 高压器件产能有限，渠道现货稀缺。
核心优势
- 1200V 耐压为三相输入与高压直流母线提供充足裕量
- 超结工艺相比 IGBT 无拖尾电流 可运行在更高开关频率
- TO-247 封装配合散热片可承受较大功耗
- MDmesh K5 在 1200V 档位实现相对较低的导通电阻
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购，逐批做外观、开封目检与电性抽检，可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Process Technology | Mdmesh K5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 690@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44.2@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1370@100V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Typical Fall Time (ns) | 18.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 11 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68.5 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 23 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Supplier Package | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 20.15(Max) |
| Package Length | 15.75(Max) |
| Package Width | 5.15(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的，而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | STW12N120K5 MOSFET | 同档位 IGBT | SiC MOSFET |
|---|---|---|---|
| 开关频率上限 | 较高 | 较低 受拖尾电流限制 | 最高 |
| 导通损耗特性 | 随电流平方增长 | 压降相对恒定 | 低且随温度变化小 |
| 大电流下表现 | 一般 | 更优 | 优 |
| 成本 | 中等 | 中等 | 较高 |
| 选型建议 | 中等电流高频场景 | 大电流低频场景 | 追求极致效率且成本可接受 |
-
散热片选型
按实际功耗与目标结温反推所需热阻。TO-247 到散热片的接触热阻受导热硅脂与安装扭矩影响很大，建议扭矩控制在 0.6 至 0.8 N·m。
-
绝缘处理
1200V 应用中散热片绝缘必须可靠。建议使用导热绝缘垫片并核算其耐压等级，同时核对爬电距离。
-
体二极管使用
超结器件的体二极管反向恢复较慢。在桥式硬开关拓扑中建议增加外部快恢复二极管或改用软开关拓扑。
-
栅极驱动
建议使用隔离驱动 IC，栅极电阻从 22Ω 起调，并配置负压关断以防止误导通。
-
降额使用
建议实际母线电压不超过 900V，结温控制在 125℃ 以内，电流不超过 7A。
相关料号
同一设计中常一起出现，或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Supplier Package
- D2PAK
- Mounting
- Surface Moun
- Operating Temper
- -55 to 150 °
TK20E60U,S1X(S
MOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
- Maximum Drain So
- 600
- Maximum Continuo
- 20
- Maximum Drain So
- 190@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Maximum Drain So
- 250
- Maximum Continuo
- 10.9
- Maximum Drain So
- 165@10V