TO-252 DPAK 封装外形示意
- Maximum Drain Source Volta
- 150
- Maximum Continuous Drain C
- 33
- Maximum Drain Source Resis
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V
- 26
IRFR4615TRLPBF
HEXFET 工艺 DPAK 贴片封装 42mΩ 导通电阻 适用于同步整流与中功率开关电源
IRFR4615TRLPBF 是英飞凌 HEXFET 平面工艺的 N 沟道增强型功率 MOSFET,150V 耐压、33A 连续漏极电流,采用 TO-252 也就是 DPAK 贴片封装。42mΩ 的导通电阻配合 26nC 的栅极电荷,在中功率同步整流与降压拓扑里能同时兼顾导通损耗与开关损耗,是通信电源与工业电源里的常用型号。
- Maximum Drain Source Voltage
- 150
- Maximum Continuous Drain Cur
- 33
- Maximum Drain Source Resista
- 42@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (n
- 26
- Standard Package Name
- TO-252
- Supplier Package
- DPAK
原厂料号 IRFR4615TRLPBF · 1 片起订 · 现货 1 至 3 个工作日发出
谁最能从这颗器件中受益
通信电源与服务器电源厂商
48V 母线降压与同步整流环节需要 150V 耐压留出足够的电压裕量。
工业开关电源厂商
DPAK 贴片封装便于自动化贴装,适合中等功率密度的产线。
电机驱动与 BLDC 控制器厂商
33A 的电流能力可覆盖多数中小功率无刷电机的驱动需求。
照明与 LED 驱动厂商
高压侧开关应用中需要稳定的雪崩耐量与热性能。
它能解决的实际问题
选型阶段看似只是参数对比,真正的成本发生在参数选错之后的返工与售后环节。
- 01 同步整流管发热严重 导通电阻偏高导致整机效率下降和散热设计被迫加码。
- 02 开关损耗随频率上升失控 栅极电荷过大使驱动损耗和开关损耗在高频下急剧增加。
- 03 DPAK 封装散热受限 缺乏可靠的热阻数据难以做散热与降额设计。
- 04 平面工艺老料交期不稳 成熟型号在渠道上时有时无导致排产被动。
核心优势
- 42mΩ@10V 导通电阻在 150V 档位属于均衡水平 兼顾成本与效率
- 26nC 栅极电荷使驱动损耗可控 适合 100kHz 以上开关频率
- DPAK 贴片封装贴装效率高 无需人工插件与波峰焊
- -55 至 175℃ 结温范围为工业与户外场景留出裕量
SOURCING NOTE
这颗料我们只从原厂与授权渠道采购,逐批做外观、开封目检与电性抽检,可提供来源说明与检验记录。
完整技术规格
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Process Technology | HEXFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 33 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 20 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 42@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1750@50V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 144000 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
与相邻档位器件的对比
选型不是找参数最高的,而是找与实际工况最匹配的。下表帮助判断这颗料是否在您的档位上。
| 关注指标 | IRFR4615TRLPBF | 同档位 100V 器件 | 同档位 200V 器件 |
|---|---|---|---|
| 漏源耐压 VDS | 150V | 100V | 200V |
| 连续漏极电流 ID | 33A | 通常更高 | 通常更低 |
| 导通电阻 RDS(on) | 42mΩ@10V | 更低 | 更高 |
| 适用母线电压 | 48V 至 90V | 24V 至 60V | 90V 至 130V |
| 选型建议 | 48V 系统留 2 倍以上裕量的首选 | 母线电压低时效率更优 | 需要更高瞬态尖峰耐受时选用 |
-
栅极驱动电压
按 VGS = 10V 驱动可获得标称的 42mΩ 导通电阻。低于 8V 驱动时导通电阻会明显上升,需重新核算导通损耗。
-
栅极电阻取值
建议从 4.7Ω 至 10Ω 起调。电阻过小易引发振铃与 EMI,过大则拖慢开关速度增加开关损耗。
-
PCB 散热设计
DPAK 的散热路径主要靠背面焊盘导向 PCB 铜箔。建议在焊盘下方布置至少 6 个过孔连通内层或底层大面积铜箔。
-
降额使用
连续工作时建议漏源电压不超过 120V,漏极电流不超过 20A,结温控制在 125℃ 以内。
-
焊接与存储
按 MSL 等级要求在开封后规定时间内完成贴装,超时需按 IPC 标准重新烘烤。
相关料号
同一设计中常一起出现,或位于相邻参数档位可作为替代评估的型号。
TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
- Maximum Drain So
- 100
- Maximum Continuo
- 42
- Maximum Drain So
- 13.6@10V
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
- Maximum Drain So
- 250
- Maximum Continuo
- 10.9
- Maximum Drain So
- 165@10V
FDMA7632
MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
- Maximum Drain So
- 30
- Maximum Continuo
- 9
- Maximum Drain So
- 19@10V


